01
파워 일렉트로닉스
고속 충전기, 전기차 파워트레인, 데이터 센터 전원 공급 장치를 위한 GaN-on-Si 전력 HEMT 등 고전압 및 고전력 스위칭 장치에 최적의 플랫폼입니다.
GaN 웨이퍼
GaN 템플릿
PWG의 GaN 템플릿은 사파이어, 실리콘 또는 SiC 기판 위에서 성장된 고품질 GaN 에피택셜 층을 의미합니다. 이후 GaN 재성장과 첨단 장치 제조를 위한 비용 효율적이고 에피전 준비 가능한 플랫폼을 제공합니다.
- 기질 옵션 — 사파이어, 실리콘, 또는 SiC
- GaN 에피레이어 전도 — N형(Si-도핑), P-형(Mg-도핑), 그리고 반절연형(Fe-도핑)
- 에피 두께 — 1μm에서 100μm (커스터마이징 가능)
- 결정질 — 전위 밀도 <1×10⁸cm⁻² (사파이어 기준)
- 확장 재료 옵션 — AlGaN 템플릿, InGaN 템플릿
- 표면 마감 — 에피네피 준비 완료
- 포장 — 단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장
상세 사양
웨이퍼 종류별 사양.
Select a wafer type to view detailed specs
수출 통제 통지
이 제품의 수출은 중화인민공화국 상무부(MOFCOM)의 규제를 받습니다. 수출 허가증은 선적 전에 취득해야 합니다.
수출 통제 통지
이 제품의 수출은 중화인민공화국 상무부(MOFCOM)의 규제를 받습니다. 수출 허가증은 선적 전에 취득해야 합니다.
수출 통제 통지
이 제품의 수출은 중화인민공화국 상무부(MOFCOM)의 규제를 받습니다. 수출 허가증은 선적 전에 취득해야 합니다.
응용 분야
이 웨이퍼가 가치를 제공하는 곳
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RF 및 통신
GaN 템플릿은 고주파 RF 프론트엔드 모듈, 5G/6G 인프라, 그리고 높은 전자 이동성과 열 안정성이 요구되는 mmWave 전력 증폭기에 이상적입니다.
03
광전자공학 및 마이크로 LED
청색 및 녹색 LED 방출기, 레이저 다이오드(LD), 차세대 마이크로 LED 디스플레이의 에피택셜 성장에 적용되었습니다. 고효율 광 방출을 위한 첨단 InGaN/GaN MQW 구조를 가능하게 합니다.
04
UV 및 센싱
높은 결정질 품질과 낮은 결함 밀도가 필요한 UVC/UVA 광검출기, 태양 차단 자외선 센서, 화학/생체 감지 장치 제작을 위해.
자주 묻는 질문
이 제품에 대한 흔한 질문들
재료 선택, 맞춤화, 테스트 및 주문에 대한 빠른 답변.
네. GaN 템플릿은 주로 이후 GaN 또는 관련 III-질화물 에피택시를 위한 에피 준비 플랫폼으로 설계되어 성장 과정을 단순화하고 제어된 결정 표면을 제공합니다.
네. GaN 템플릿 외에도, PWG는 밴드갭 공학이 필요한 응용 분야, 특히 고급 UV, 가시광선 및 기타 광전자 장치를 위해 AlGaN 및 InGaN 템플릿을 제공할 수 있습니다.
GaN 템플릿은 외부 기판(예: 사파이어나 Si) 위에 성장된 얇은 GaN 에피택시얼 층으로 구성되어 있어 장치 재성장을 위한 비용 효율적인 플랫폼을 제공합니다. 독립형 GaN 기판은 이물질 기판을 제거한 벌크 GaN 웨이퍼로, 고급 장치에 가장 높은 결정 품질과 열적 성능을 제공합니다.
네. PWG는 R&D 친화적이며, 프로토타이핑을 위한 유연한 MOQ(최소 기준 순서)를 제공합니다. 저희는 귀하의 기기 요구에 맞는 에피 두께, 도핑, 기판 유형의 신속한 맞춤화를 지원합니다.
독립형 GaN 기판
독립형(FS) GaN 기판은 외부 기판(사파이어/실리콘)을 제거한 천연 벌크 GaN 웨이퍼입니다. 초저전위 밀도와 높은 결정 품질을 특징으로 하여 고성능 레이저 다이오드, 마이크로 LED, RF 소자를 위한 궁극의 플랫폼을 제공합니다.
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GaN LED 에피택시
PWG의 GaN LED 에피택셜 웨이퍼는 고효율 UV, 청색, 녹색 LED를 위해 설계된 MOCVD 성장 AlGaN/InGaN 이형구조입니다. 정밀한 다중 양자 우물(MQW) 구조를 특징으로 하는 이 에피 웨이퍼는 높은 내부 양자 효율(IQE), 균일한 방출, 우수한 장치 신뢰성을 제공합니다.
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GaN HEMT 에피택시
고주파 RF 및 고출력 스위칭을 위한 정밀 성장 AlGaN/GaN HEMT 구조. 저결함 버퍼와 고밀도 2DEG 채널을 특징으로 하여 우수한 장치 성능을 제공합니다.
상세 정보 보기기술 조사
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엔지니어링 주도 대응
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주소
중국 푸젠성 샤먼 통안, 련화 산업단지 1389번지, 우편번호 361100
