실리콘 기판

실리콘 기판

파워 웨이퍼텍 그룹은 반도체 소자 제조, MEMS, 에피택셜 성장 및 연구 응용을 위한 단결정 실리콘 웨이퍼를 공급합니다. 프라임 등급과 테스트용 실리콘 웨이퍼 모두 공급될 수 있습니다.

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실리콘 에피택셜 웨이퍼

실리콘 에피택셜 웨이퍼

파워 웨이퍼텍 그룹은 고급 CVD 에피택시로 성장한 실리콘 에피택셜 웨이퍼(Si 에피 웨이퍼)를 공급합니다. 정밀하게 제어된 실리콘 에피택셜 층이 전도성 기판 위에 증착되어 반도체 소자 제작에 필요한 두께, 도핑 프로파일 및 저항성을 달성합니다.

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이산화실리콘 웨이퍼

이산화실리콘 웨이퍼

파워 웨이퍼텍 그룹은 실리콘 기판의 제어된 열 산화를 통해 제조된 이산화실리콘 웨이퍼(SiO₂ on Si)를 공급합니다. 건조 열 산화와 습식 열 산화는 산화물 두께와 공정 요구사항에 따라 모두 제공됩니다. 저희 SiO₂ 웨이퍼는 제어된 산화물 두께, 우수한 웨이퍼 수준의 균일성, 에피/공정 준비 가능한 표면을 특징으로 합니다.

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III-V 반도체 에피택셜 웨이퍼

III-V 반도체 에피택셜 웨이퍼

PWG는 InP, GaSb, GaAs 기판을 기반으로 한 에피택셜 솔루션을 제공하며, HEMT, PHEMTs, HBT, 레이저 다이오드, 광검출기, VCSEL, 적외선 검출기 및 기타 III-V 소자용 이형구조를 포괄합니다.

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III-V 복합 웨이퍼

InSb 웨이퍼

300 K에서 약 0.17 eV의 초협 직접 밴드갭과 매우 높은 전자 이동도를 가진 InSb는 3–5 μm 범위의 중파장 적외선(MWIR) 검출에 특히 적합합니다. PWG는 고감도 적외선 탐지, 자기 감지 및 극저온 전자공학을 위한 N형 및 P형 인듐 안티몬화물(InSb) 웨이퍼를 공급합니다.

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III-V 복합 웨이퍼

InP 웨이퍼

인(InP)은 300K에서 직접 밴드갭(1.34eV)을 가진 III-V 화합물 반도체이며, GaAs보다 전자 이동도가 더 높습니다. 이 회로는 고주파 RF(최대 THz 범위), 장파장 광전자(1.3–1.55μm), 그리고 저위상 잡음 광자 집적 회로의 세 가지 핵심 분야에서 우수한 성능을 제공합니다.

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