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InP HEMT Epitaxial Wafers: Low Noise & Custom Growth

InP HEMT 에피택셜 웨이퍼: 저잡음 및 맞춤형 성장

스페이서층 두께는 InP HEMT에서 극저온 노이즈에 강한 영향을 미치며, 이동성, 게이트 제어, 실공간 전송의 균형을 최적화한 값으로 이루어집니다. 캡층 도핑과 안정성은 금속 및 리프트오프 공정과 함께 설계되어 접촉 저항을 낮게 유지해야 합니다.

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