SiC 웨이퍼

SiC 기판

전력, RF, 광전자 및 첨단 반도체 응용 분야를 위한 SiC 기판 웨이퍼. 4H-SiC, 6H-SiC, 3C-SiC로 제공되며, N형, P형, 반절연 옵션, 다양한 웨이퍼 크기, 도핑 수준 및 표면 마감 처리가 가능합니다.

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SiC 웨이퍼

SiC 에피택시

저희의 SiC 에피택셜 웨이퍼는 SiC 기판 위에 CVD로 성장하여 잘 제어된 균일성과 낮은 결함 밀도를 제공하여, 600V에서 10kV까지 SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT 등에 신뢰할 수 있는 플랫폼을 제공합니다.

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GaN 웨이퍼

GaN 템플릿

PWG의 GaN 템플릿은 외래 기판 위에 성장된 고결정질 GaN 에피택셜층으로 구성되어 성능, 열 관리, 비용 효율성의 최적의 균형을 제공합니다.

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GaN 웨이퍼

GaN LED 에피택시

PWG의 GaN LED 에피택셜 웨이퍼는 MOCVD에서 성장한 즉시 제작 가능한 이질구조로, 높은 내부 양자 효율(IQE), 균일한 방출, 견고한 성능을 위해 설계되었습니다.

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GaN 웨이퍼

GaN HEMT 에피택시

GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼는 고주파 및 고전력 스위칭 장치를 위해 설계된 정밀 성장된 AlGaN/GaN 이질구조입니다.

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GaN 웨이퍼

독립형 GaN 기판

독립(FS) GaN 기판은 외부 성장 템플릿(예: 사파이어나 실리콘)을 제거한 벌크 GaN 웨이퍼로, 전위 밀도가 크게 줄어든 네이티브 플랫폼을 제공합니다. 이로 인해 장비의 성능, 신뢰성, 그리고 요구가 까다로운 응용 분야에서 수명이 향상됩니다

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