독립형(FS) GaN 기판은 외부 기판(사파이어/실리콘)을 제거한 천연 벌크 GaN 웨이퍼입니다. 초저전위 밀도와 높은 결정 품질을 특징으로 하여 고성능 레이저 다이오드, 마이크로 LED, RF 소자를 위한 궁극의 플랫폼을 제공합니다.

PWG의 GaN 템플릿은 사파이어, 실리콘 또는 SiC 기판 위에서 성장된 고품질 GaN 에피택셜 층을 의미합니다. 이후 GaN 재성장과 첨단 장치 제조를 위한 비용 효율적이고 에피전 준비 가능한 플랫폼을 제공합니다.

PWG의 GaN LED 에피택셜 웨이퍼는 고효율 UV, 청색, 녹색 LED를 위해 설계된 MOCVD 성장 AlGaN/InGaN 이형구조입니다. 정밀한 다중 양자 우물(MQW) 구조를 특징으로 하는 이 에피 웨이퍼는 높은 내부 양자 효율(IQE), 균일한 방출, 우수한 장치 신뢰성을 제공합니다.

고주파 RF 및 고출력 스위칭을 위한 정밀 성장 AlGaN/GaN HEMT 구조. 저결함 버퍼와 고밀도 2DEG 채널을 특징으로 하여 우수한 장치 성능을 제공합니다.

전력, RF, 광전자 소자를 위한 프리미엄 SiC 기판 웨이퍼. 4H, 6H, 3C 폴리타입으로 제공되며, N형, P형, 반절연형 옵션이 있습니다. 2인치에서 12인치 크기로 제공되며, 첨단 반도체 제작을 위한 에피니 준비 마감 처리가 적용되었습니다.

SiC 에피택셜 웨이퍼는 CVD로 성장하여 우수한 두께 균일성과 낮은 결함 밀도를 제공합니다. 600V에서 10kV 전력 장치(SBD, MOSFET, IGBT)를 위해 설계되어 EV, 산업용 주행, 재생 에너지 분야의 고성능 응용을 가능하게 합니다.