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결정 성장
정밀한 도핑 제어와 낮은 결함 밀도 (PVT, LEC, VGF)
파워 웨이퍼텍 그룹 소개
PWG의 화합물 반도체 기판 및 에피 웨이퍼에 대한 전공정 제조 역량을 알아보세요. 연구개발부터 대량 생산까지 엔지니어링 협업을 제공합니다.
회사 개요
파워 웨이퍼텍 그룹은 SiC, GaN, InP, GaAs, GaSb, InSb 등 복합 반도체 기판 및 에피택셜 웨이퍼의 전사이클 재료 제조업체입니다. 결정 성장, 기판 제작부터 에피택셜 증착에 이르기까지 핵심 공정을 통제하여 공급망 보안과 엄격한 재료 일관성을 보장합니다.
우리는 엄격한 사양 준수, 완전한 배치 추적성, 그리고 엔지니어 간 신속한 지원을 통해 글로벌 고객을 지원합니다. 연구개발 프로토타입부터 재생산까지, 저희는 귀하의 디바이스 프로그램을 위한 문서화된 고품질 자료를 제공합니다.
기술 및 제조
완전히 통제된 자체 제조 흐름. 저희는 모든 단계에서 엄격한 품질 관리, 전체 배치 추적성, 그리고 안전한 공급을 보장합니다.
01
정밀한 도핑 제어와 낮은 결함 밀도 (PVT, LEC, VGF)
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에피 준비 표면을 위한 고급 슬라이싱, 연마, CMP 연마
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HVPE / MOCVD / MBE 성장 시 밀도가 높고 도핑 균일성이
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웨이퍼 다스킹, 희석, 금속화를 포함한 후속 공정
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XRD, AFM, PL 매핑을 이용한 종합 검사. 완전한 교대감 명령서가 제공됩니다.
웨이퍼 서비스
정밀 처리 및 박막 증착 서비스의 완전한 포트폴리오입니다. 저희는 기판 처리부터 복잡한 장치 제작까지 맞춤형 솔루션을 제공하여 귀하의 프로젝트 요구에 부합하는 성능을 보장합니다.
4H-SiC, GaSb, InSb 및 기타 광대역/III-V 재료를 위한 고정밀 CMP 연마, 다삭, 웨이퍼 신하 처리.
전자 빔 증발 또는 스퍼터링을 통한 광학 및 전기 코팅. 고접착 금속(Au, Ti/Pt/Au) 및 IR/UV 반사 방지 필름입니다.
고성능 RF, 전력 소자, 집적 광자학을 위한 4H-SiC-on-Insulator(4H-SiCOI)를 포함한 첨단 접합 솔루션.
SiC, GaN, Si 및 기타 화합 반도체에서 전도성 또는 절연 영역을 형성하기 위한 종, 에너지, 선량을 정밀하게 제어합니다.
품질 및 검사
품질 기대치는 사양 검토 시 일치하며, 입주, 진행 중, 출고 통제를 통해 지원됩니다. 제품 및 주문별로 이용 가능한 보고서, 추적 가능성 필드 및 포장 옵션이 확인됩니다.
품질 시험 보고서
협력 증거
산업과 연구 프로그램을 지원하는 대표적인 사례들입니다. 상세한 프로젝트 데이터와 고객 신원은 엄격한 NDA에 의해 보호됩니다.
산업 프로그램
스케일링은 대량 생산에 맞춘 기질 사양을 검증했습니다.
정밀 CMP 연마, 웨이퍼 희석, 그리고 4H-SiC를 위한 대량 다삭입니다. 엄격한 배치 일관성으로 Fab-ready 기판을 제공합니다.
연구 프로그램
새로운 장치 특성 분석을 위한 저부피 맞춤 에피택시.
저MOQ로 빠른 프로토타이핑과 맞춤형 에피택시를 제공합니다. 다층 스택의 MOCVD/MBE가 성장하고 완전한 재료 특성화를 결합한 것.
애플리케이션 개발
신흥 아키텍처를 위한 맞춤형 도핑 및 표면 처리.
정밀 이온 주입과 맞춤형 금속 코팅, 소자 절연 및 오믹 접촉.
시설 및 글로벌 지원
각 사이트의 사업 범위를 확인하세요. 시설 정보는 공식 검증을 거쳐 문서화됩니다.
베이스 01
자체 결정 성장 및 물질 합성
베이스 02
슬라이스, 갈기, 연마
베이스 03
고급 에피택시 성장 및 박막 증착
베이스 04
특별 형식, 품질 보증 및 프로그램 지원
결정 성장, 웨이퍼 제조, 에피택셜 증착을 위한 ISO 인증 클린룸이 있습니다.
엄격한 재료 특성 분석과 검사를 위한 XRD, AFM, PL 매핑 기능을 갖추고 있습니다.
엄격한 배치 추적성, NDA 보호 엔지니어링 지원, 안전한 클린룸 포장으로 글로벌 공급망을 보호합니다.
파워 웨이퍼텍과의 협업
웨이퍼 포트폴리오를 탐색하거나 재료, 공정 또는 프로그램 요구사항에 대해 팀과 논의해 주세요.