인인화염(InP) 웨이퍼는 고이동도, 직접 밴드갭(1.34eV) III-V 화합 반도체입니다. 고주파 RF(최대 THz), 1.3–1.55μm 광통신, 저잡음 광자 집적회로(PIC)에 최적화되어 있습니다. 낮은 EPD 및 에피팬 준비 가능한 표면 마감 처리를 특징으로 합니다.

갈륨 비소(GaAs)는 직접적인 밴드갭과 높은 전자 이동도를 결합하여 고주파 및 광전자 장치에 널리 사용되는 기판 재료입니다. PWG의 GaAs 웨이퍼는 MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, 레이저 다이오드, 고효율 태양전지를 지원하며, 다중 직경, 결정 방향, 에피 준비 표면 마감으로 제공됩니다.

파워 웨이퍼텍 그룹은 적외선 검출, 고이동성 전자장치 및 첨단 III-V 반도체 연구를 위한 인듐 비소(InAs) 기판 웨이퍼를 공급합니다. 사용 가능한 옵션으로는 N형 및 P형 InAs가 있으며, 소자 제작 및 에피택시얼 성장을 위한 선택된 웨이퍼 직경, 결정 방향 및 표면 마감이 있습니다.

GaSb(갈륨 안티모나이드)는 안티몬 기반 에피택시의 선호 기질입니다. 탁월한 InAs/AlSb 호환성을 위해 격자 상수 6.096 Å를 특징으로 하며, Type-II 초격자(T2SL) IR 검출기와 중적외선 레이저에 널리 사용됩니다. 2인치, 3인치, 4인치 크기로 제공되며, 에피닝 준비 표면 마감이 적용되었습니다.

InSb(인듐 안티몬화물) 웨이퍼는 MWIR 적외선 검출기와 자기저항성 소자에 사용될 수 있습니다. 에피 준비 표면을 가진 N형 및 P형 옵션이 특정 장치 제작 및 에피택시얼 성장 요구사항을 지원할 수 있습니다.

InP, GaSb, GaAs 기판 위의 정밀 MOCVD/MBE 성장 이형구조. 고성능 HEMT, pHEMT, HBT, 레이저 다이오드, VCSEL, 적외선 검출기를 위해 설계되었습니다. 연구개발부터 대량 생산까지 맞춤형 에피 구조 지원.