III-V 반도체 에피택셜 웨이퍼

III-V 반도체 에피택셜 웨이퍼

PWG는 InP, GaSb, GaAs 기판을 기반으로 한 에피택셜 솔루션을 제공하며, HEMT, PHEMTs, HBT, 레이저 다이오드, 광검출기, VCSEL, 적외선 검출기 및 기타 III-V 소자용 이형구조를 포괄합니다.

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III-V 복합 웨이퍼

InSb 웨이퍼

300 K에서 약 0.17 eV의 초협 직접 밴드갭과 매우 높은 전자 이동도를 가진 InSb는 3–5 μm 범위의 중파장 적외선(MWIR) 검출에 특히 적합합니다. PWG는 고감도 적외선 탐지, 자기 감지 및 극저온 전자공학을 위한 N형 및 P형 인듐 안티몬화물(InSb) 웨이퍼를 공급합니다.

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III-V 복합 웨이퍼

InP 웨이퍼

인(InP)은 300K에서 직접 밴드갭(1.34eV)을 가진 III-V 화합물 반도체이며, GaAs보다 전자 이동도가 더 높습니다. 이 회로는 고주파 RF(최대 THz 범위), 장파장 광전자(1.3–1.55μm), 그리고 저위상 잡음 광자 집적 회로의 세 가지 핵심 분야에서 우수한 성능을 제공합니다.

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III-V 복합 웨이퍼

InAs 웨이퍼

300 K에서 약 0.354 eV의 좁은 직역 갭과 매우 높은 전자 이동도를 가진 InAs는 적외선 검출기, 홀 센서, 고속 트랜지스터 및 기타 고이동성 장치에 적합합니다.

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III-V 복합 웨이퍼

GaSb 웨이퍼

약 6.096 Å의 격자 상수를 가진 GaSb(갈륨 안티몬라이드)는 InAs, AlSb, InAsSb 등 안티몬화물 기반 재료와의 격자 호환성이 뛰어나며, Type-II 초격자(T2SL) 적외선 검출기, 중적외선 레이저 및 첨단 광전자 장치의 중요한 기판 플랫폼이 됩니다. GaSb 웨이퍼는 에피택셜 성장과 소자 제작을 위한 다중 직경, 결정 방향, 표면 마감으로 제공됩니다.

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III-V 복합 웨이퍼

가아스 웨이퍼

갈륨 비소(GaAs)는 직접적인 밴드갭과 높은 전자 이동도를 결합하여 MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, 레이저 다이오드, LED 및 고효율 태양전지에 널리 사용되는 기판 재료입니다. GaAs 웨이퍼는 여러 직경, 결정 방향, 표면 마감 형태로 제공됩니다.

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