III-V 반도체 에피택셜 웨이퍼
III-V 반도체 에피택셜 웨이퍼
InP, GaSb, GaAs 기판 위의 정밀 MOCVD/MBE 성장 이형구조. 고성능 HEMT, pHEMT, HBT, 레이저 다이오드, VCSEL, 적외선 검출기를 위해 설계되었습니다. 연구개발부터 대량 생산까지 맞춤형 에피 구조 지원.
제품 검색 및 분류
재료별 검색. 사양에 따라 정제하세요.
표준 화합물 반도체 웨이퍼를 빠르게 찾거나, 소자 프로그램에 맞는 맞춤형 사양을 요청하세요.
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응용 및 산업
응용 및 산업
케이스 01 / 고전압 시스템
파워 일렉트로닉스
800V+ 아키텍처를 위해 설계된 와이드밴드갭 웨이퍼 솔루션. 고효율 전력 변환, 빠른 스위칭, 신뢰할 수 있는 고온 작동을 보장합니다.
응용 초점
전기차 파워트레인 · 고속 충전 · 산업용 모터 구동
추천 제품
4H-SiC
GaN
참여 과정
맞춤형 조사가 어떻게 진행되는지에 대해
프로그램에 특화된 요구사항을 제출해 주시면, 저희 엔지니어가 평가부터 확정된 견적까지 안내해 드립니다.
맞춤형 엔지니어링
표준 목록을 넘어선 매개변수
맞춤 직경 및 두께
방향 및 오프컷
도핑 및 저항성
박막 및 층 스택
표면 및 가장자리 프로파일
마킹 및 포장
01제출 요구사항
02공학 검토
03사양 정렬
04견적 및 납기
기술 조사
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재료, 치수, 사양, 적용 또는 프로젝트 단계를 공유해 주세요. 저희 팀이 귀하의 요구사항을 검토하고 영업일 1일 이내에 답변해 드립니다.
엔지니어링 주도 대응
문의는 적절한 기술 또는 상업 팀으로 전달됩니다.
주소
중국 푸젠성 샤먼 통안, 련화 산업단지 1389번지, 우편번호 361100
