SiC 웨이퍼 — 기판 및 에피택시 | 파워 웨이퍼텍

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표준 화합물 반도체 기판과 에피 웨이퍼를 탐색하거나 맞춤형 사양을 위해 엔지니어와 협력해 보세요.

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표준 화합물 반도체 웨이퍼를 빠르게 찾거나, 소자 프로그램에 맞는 맞춤형 사양을 요청하세요.

SiC 웨이퍼

SiC 기판

전력, RF, 광전자 소자를 위한 프리미엄 SiC 기판 웨이퍼. 4H, 6H, 3C 폴리타입으로 제공되며, N형, P형, 반절연형 옵션이 있습니다. 2인치에서 12인치 크기로 제공되며, 첨단 반도체 제작을 위한 에피니 준비 마감 처리가 적용되었습니다.

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SiC 웨이퍼

SiC 에피택시

SiC 에피택셜 웨이퍼는 CVD로 성장하여 우수한 두께 균일성과 낮은 결함 밀도를 제공합니다. 600V에서 10kV 전력 장치(SBD, MOSFET, IGBT)를 위해 설계되어 EV, 산업용 주행, 재생 에너지 분야의 고성능 응용을 가능하게 합니다.

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세 가지 핵심 재료 계열

기기 로드맵을 위한 엔지니어드 자재

재료군별로 기판과 에피피 웨이퍼를 살펴보세요. R&D 및 대량 생산을 위한 표준 구성 및 맞춤 사양이 제공됩니다.

응용 및 산업

응용 및 산업

케이스 01 / 고전압 시스템

파워 일렉트로닉스

800V+ 아키텍처를 위해 설계된 와이드밴드갭 웨이퍼 솔루션. 고효율 전력 변환, 빠른 스위칭, 신뢰할 수 있는 고온 작동을 보장합니다.

응용 초점

전기차 파워트레인 · 고속 충전 · 산업용 모터 구동

추천 제품

4H-SiC GaN

참여 과정

맞춤형 조사가 어떻게 진행되는지에 대해

프로그램에 특화된 요구사항을 제출해 주시면, 저희 엔지니어가 평가부터 확정된 견적까지 안내해 드립니다.

맞춤형 엔지니어링

표준 목록을 넘어선 매개변수

맞춤 직경 및 두께
방향 및 오프컷
도핑 및 저항성
박막 및 층 스택
표면 및 가장자리 프로파일
마킹 및 포장
01제출 요구사항
02공학 검토
03사양 정렬
04견적 및 납기
엔지니어와 상담하세요

기술 조사

엔지니어들과 웨이퍼 관련 사항에 대해 이야기하세요

재료, 치수, 사양, 적용 또는 프로젝트 단계를 공유해 주세요. 저희 팀이 귀하의 요구사항을 검토하고 영업일 1일 이내에 답변해 드립니다.

엔지니어링 주도 대응

문의는 적절한 기술 또는 상업 팀으로 전달됩니다.

주소

중국 푸젠성 샤먼 통안, 련화 산업단지 1389번지, 우편번호 361100

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