III-V 복합 웨이퍼

가아스 웨이퍼

갈륨 비소(GaAs)는 직접적인 밴드갭과 높은 전자 이동도를 결합하여 고주파 및 광전자 장치에 널리 사용되는 기판 재료입니다. PWG의 GaAs 웨이퍼는 MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, 레이저 다이오드, 고효율 태양전지를 지원하며, 다중 직경, 결정 방향, 에피 준비 표면 마감으로 제공됩니다.

크기 — 2인치, 3인치, 4인치, 6인치
방향 — (100), (111)A 및 (111)B
전도 유형 — N형(Si 도핑), P형(Zn 도핑), 반절연형(C 도핑)
표면 마감 — SSP 또는 DSP, 에피소 준비
포장 — 단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장

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상세 사양

웨이퍼 종류별 사양.

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매개변수	2인치(50.8mm) GaAs 기판
전도 유형	N-타입	P-타입	반절연
도판트	네	Zn	C
방향	(100), (111)A, (111)B	(100), (111)A, (111)B	(100), (111)A, (111)B
저항률	(1.5–9) × 10⁻³ Ω·cm	(1.5–9) × 10⁻³ Ω·cm	≥1 × 10⁸ Ω·cm
이동성	1500–3000 cm²/V	1500–3000 cm²/V	>5000 cm²/V·s
EPD	≤5000cm⁻²	≤5000cm⁻²
표면 마감	SSP / DSP, 에피네치 준비	SSP / DSP, 에피네치 준비	SSP / DSP, 에피네치 준비
평면	세미 스탠다드	세미 스탠다드	세미 스탠다드
포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장

수출 통제 통지

이 제품의 수출은 중화인민공화국 상무부(MOFCOM)의 규제를 받습니다. 수출 허가증은 선적 전에 취득해야 합니다.

매개변수	3인치(76.2mm) GaAs 기판
전도 유형	N-타입	P-타입	반절연
도판트	네	Zn	C
방향	(100), (111)A, (111)B	(100), (111)A, (111)B	(100), (111)A, (111)B
저항률	(1.5–9) × 10⁻³ Ω·cm	(1.5–9) × 10⁻³ Ω·cm	≥1 × 10⁸ Ω·cm
이동성	1500–3000 cm²/V	1500–3000 cm²/V	>5000 cm²/V·s
EPD	≤5000cm⁻²	≤5000cm⁻²
표면 마감	SSP / DSP, 에피네치 준비	SSP / DSP, 에피네치 준비	SSP / DSP, 에피네치 준비
평면	세미 스탠다드	세미 스탠다드	세미 스탠다드
포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장

수출 통제 통지

이 제품의 수출은 중화인민공화국 상무부(MOFCOM)의 규제를 받습니다. 수출 허가증은 선적 전에 취득해야 합니다.

매개변수	4인치(100mm) GaAs 기판
전도 유형	N-타입	P-타입	반절연
도판트	네	Zn	C
방향	(100), (111)A, (111)B	(100), (111)A, (111)B	(100), (111)A, (111)B
저항률	(1.5–9) × 10⁻³ Ω·cm	(1.5–9) × 10⁻³ Ω·cm	≥1 × 10⁸ Ω·cm
이동성	1500–3000 cm²/V	1500–3000 cm²/V	>5000 cm²/V·s
EPD	≤5000cm⁻²	≤5000cm⁻²
표면 마감	SSP / DSP, 에피네치 준비	SSP / DSP, 에피네치 준비	SSP / DSP, 에피네치 준비
평면	세미 스탠다드	세미 스탠다드	세미 스탠다드
포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장

수출 통제 통지

이 제품의 수출은 중화인민공화국 상무부(MOFCOM)의 규제를 받습니다. 수출 허가증은 선적 전에 취득해야 합니다.

매개변수	6인치(150mm) GaAs 기판
전도 유형	N-타입	P-타입	반절연
도판트	네	Zn	C
방향	(100), (111)A, (111)B	(100), (111)A, (111)B	(100), (111)A, (111)B
저항률	(1.5–9) × 10⁻³ Ω·cm	(1.5–9) × 10⁻³ Ω·cm	≥1 × 10⁸ Ω·cm
이동성	1500–3000 cm²/V	1500–3000 cm²/V	>5000 cm²/V·s
EPD	≤5000cm⁻²	≤5000cm⁻²
표면 마감	SSP / DSP, 에피네치 준비	SSP / DSP, 에피네치 준비	SSP / DSP, 에피네치 준비
평면	세미 스탠다드	세미 스탠다드	세미 스탠다드
포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장	단일 웨이퍼 카세트, 진공 포장

수출 통제 통지

이 제품의 수출은 중화인민공화국 상무부(MOFCOM)의 규제를 받습니다. 수출 허가증은 선적 전에 취득해야 합니다.

응용 분야

이 웨이퍼가 가치를 제공하는 곳

RF 및 마이크로파 소자

반절연성 GaAs 기판은 MMIC, pHEMT, HEMT 및 HBT를 포함한 고주파 소자 제작에 널리 사용됩니다. RF 프론트엔드, 마이크로파 증폭기, 무선 통신 및 관련 응용 분야에 적합합니다.

VCSEL 및 레이저 다이오드

GaAs 기판은 AlGaAs와 InGaAs 기반 소자 시스템을 포함한 III-V 광전자 구조의 에피택셜 성장에 사용됩니다. 응용 분야로는 VCSEL, 레이저 다이오드, 적외선 방출기, 광학 감지 장치 등이 있습니다.

고효율 태양전지

GaAs는 우주 태양전지와 집광 태양광 시스템을 포함한 고효율 태양광 장치에 중요한 III-V 반도체 재료입니다. 기판 요구사항은 셀 아키텍처와 제조 공정에 따라 다릅니다.

LED 및 광전자 장치

GaAs 기판은 적외선 및 적외선 방출기를 포함한 선택된 LED 및 광전자 응용 분야에서 III-V 에피택셜 구조의 성장을 지원합니다.

자주 묻는 질문

이 제품에 대한 흔한 질문들

재료 선택, 맞춤화, 테스트 및 주문에 대한 빠른 답변.

전도성 GaAs와 반절연성 GaAs의 차이점은 무엇인가요?

N형 및 P형 재료를 포함한 전도성 GaAs 웨이퍼는 특정 전기 전도도를 요구하는 소자 구조에 사용됩니다. 반절연 GaAs 웨이퍼는 높은 전기 저항률을 제공하며 RF 및 마이크로파 장치 제작에 흔히 사용됩니다. 적절한 유형은 장치 아키텍처와 공정 요구사항에 따라 다릅니다.

RF 응용에 적합한 GaAs 웨이퍼는 무엇인가요?

반절연 GaAs는 MMIC, pHEMT 및 기타 RF 또는 마이크로파 소자에 일반적으로 고려됩니다. 필요한 저항률, 결정 방향, 표면 마감 및 기타 매개변수는 장치 설계에 따라 명시되어야 합니다.

VCSEL에 적합한 GaAs 웨이퍼는 무엇인가요?

GaAs 기판은 VCSEL과 레이저 다이오드 구조의 에피택셜 성장에 널리 사용됩니다. 요구되는 전도도 유형, 방향, 표면 마감 및 기타 사양은 에피택셜 설계와 장치 아키텍처에 따라 달라집니다.

어떤 GaAs 웨이퍼 크기와 사양이 있나요?

선택된 웨이퍼 직경은 2인치, 3인치, 4인치, 6인치입니다. 결정 방향, 전도도 유형, 저항률, 표면 마감 및 기타 매개변수는 사용 가능한 재료 사양에 따라 달라집니다. 프로젝트 요구사항을 확인하려면 PWG에 연락하세요.