매우 다재다능한 AlN-on-Si 템플릿 플랫폼입니다. 고품질 AlN 층은 GaN 전력/RF 에피택시, 압전 MEMS(SAW/BAW 필터), 첨단 광자 소자 등 다양한 응용 분야를 지원하며, 성숙한 실리콘 제조 공정과의 원활한 통합을 가능하게 합니다.

사파이어 템플릿에 부착된 AlN은 결함 밀도가 낮고 열안정성이 뛰어나며 강한 압전 특성을 가진 고결정질 AlN 필름을 특징으로 합니다. 이들은 심해 자외선 LED, 전력/RF 소자, SAW 필터, 집적 광자학에 이상적입니다.

반도체 소자 제작, MEMS, 에피택시얼 성장을 위해 설계된 단결정 실리콘 웨이퍼. 우수한 평탄성, 낮은 결함 밀도, 맞춤형 표면 마감으로 프라임 등급과 테스트 등급으로 제공되며, 귀하의 정확한 공정 요구사항을 충족합니다.

CVD가 성장한 고품질 Si 에피 웨이퍼로, 정밀한 두께, 도핑 프로파일, 저항 제어 기능을 특징으로 합니다. 첨단 CMOS, 이산 전력 소자, 센서 제작을 위해 결함 밀도가 낮고 두께 균일성을 갖추도록 설계되었습니다.

정밀 열 산화를 통해 제조된 고품질 이산화실리콘 웨이퍼(SiO2-on-Si 웨이퍼). 우수한 웨이퍼 수준의 두께 균일성, 낮은 결함 밀도, 반도체 절연, 게이트 산화막, MEMS 제작에 적합한 공정 준비 표면을 특징으로 합니다.