인인화염(InP) 웨이퍼는 고이동도, 직접 밴드갭(1.34eV) III-V 화합 반도체입니다. 고주파 RF(최대 THz), 1.3–1.55μm 광통신, 저잡음 광자 집적회로(PIC)에 최적화되어 있습니다. 낮은 EPD 및 에피팬 준비 가능한 표면 마감 처리를 특징으로 합니다.

갈륨 비소(GaAs)는 직접적인 밴드갭과 높은 전자 이동도를 결합하여 고주파 및 광전자 장치에 널리 사용되는 기판 재료입니다. PWG의 GaAs 웨이퍼는 MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, 레이저 다이오드, 고효율 태양전지를 지원하며, 다중 직경, 결정 방향, 에피 준비 표면 마감으로 제공됩니다.

파워 웨이퍼텍 그룹은 적외선 검출, 고이동성 전자장치 및 첨단 III-V 반도체 연구를 위한 인듐 비소(InAs) 기판 웨이퍼를 공급합니다. 사용 가능한 옵션으로는 N형 및 P형 InAs가 있으며, 소자 제작 및 에피택시얼 성장을 위한 선택된 웨이퍼 직경, 결정 방향 및 표면 마감이 있습니다.

독립형(FS) GaN 기판은 외부 기판(사파이어/실리콘)을 제거한 천연 벌크 GaN 웨이퍼입니다. 초저전위 밀도와 높은 결정 품질을 특징으로 하여 고성능 레이저 다이오드, 마이크로 LED, RF 소자를 위한 궁극의 플랫폼을 제공합니다.