GaN 웨이퍼

GaN 템플릿

PWG의 GaN 템플릿은 사파이어, 실리콘 또는 SiC 기판 위에서 성장된 고품질 GaN 에피택셜 층을 의미합니다. 이후 GaN 재성장과 첨단 장치 제조를 위한 비용 효율적이고 에피전 준비 가능한 플랫폼을 제공합니다.

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GaN 웨이퍼

GaN LED 에피택시

PWG의 GaN LED 에피택셜 웨이퍼는 고효율 UV, 청색, 녹색 LED를 위해 설계된 MOCVD 성장 AlGaN/InGaN 이형구조입니다. 정밀한 다중 양자 우물(MQW) 구조를 특징으로 하는 이 에피 웨이퍼는 높은 내부 양자 효율(IQE), 균일한 방출, 우수한 장치 신뢰성을 제공합니다.

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실리콘 에피택셜 웨이퍼

실리콘 에피택셜 웨이퍼

파워 웨이퍼텍 그룹은 고급 CVD 에피택시로 성장한 실리콘 에피택셜 웨이퍼(Si 에피 웨이퍼)를 공급합니다. 정밀하게 제어된 실리콘 에피택셜 층이 전도성 기판 위에 증착되어 반도체 소자 제작에 필요한 두께, 도핑 프로파일 및 저항성을 달성합니다.

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GaN 웨이퍼

GaN HEMT 에피택시

고주파 RF 및 고출력 스위칭을 위한 정밀 성장 AlGaN/GaN HEMT 구조. 저결함 버퍼와 고밀도 2DEG 채널을 특징으로 하여 우수한 장치 성능을 제공합니다.

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실리콘 기판

실리콘 기판

파워 웨이퍼텍 그룹은 반도체 소자 제조, MEMS, 에피택셜 성장 및 연구 응용을 위한 단결정 실리콘 웨이퍼를 공급합니다. 프라임 등급과 테스트용 실리콘 웨이퍼 모두 공급될 수 있습니다.

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이산화실리콘 웨이퍼

이산화실리콘 웨이퍼

파워 웨이퍼텍 그룹은 실리콘 기판의 제어된 열 산화를 통해 제조된 이산화실리콘 웨이퍼(SiO₂ on Si)를 공급합니다. 건조 열 산화와 습식 열 산화는 산화물 두께와 공정 요구사항에 따라 모두 제공됩니다. 저희 SiO₂ 웨이퍼는 제어된 산화물 두께, 우수한 웨이퍼 수준의 균일성, 에피/공정 준비 가능한 표면을 특징으로 합니다.

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